集積度９倍の電子基板の製作が可能に…京大と日立が共同開発

コンピューターなどに使われる半導体の電子基板を作るために使われる、高分子化合物の特性を利用した新しい技術を、京都大工学研究科の長谷川博一准教授（高分子物性）と日立研究所（茨城県日立市）の研究チームが開発し、１０日発表しました。

これは基板上の孔（あな）の密度を大きく高める技術で、この技術により、密度が従来品の９倍となる電子基板を作ることが可能になったのです。将来的には携帯電話やデジタルカメラなど電子機器の高性能化に役立ちます。

シリコンの電子基板には、ナノサイズ（１ナノメートルは１０億分の１メートル）の小さな孔がいくつも開いています。レーザー光などを使う現在の技術では孔の間隔は７２ナノメートルが一般的です。

研究チームは、ポリスチレンとポリメチルメタクリレートと呼ばれる高分子化合物の重合体が高い温度で分離し、ポリスチレンだけがナノサイズの円柱組織をつくるという特性を利用。孔の間隔が２４ナノメートルとなる電子基板をつくるためのマスク（設計図）の作成に成功したのです。
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